IRFZ44VZS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 руб.
от 2 шт. —
800 руб.
от 5 шт. —
721 руб.
от 10 шт. —
677.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRFZ44VZSPBF от производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный компонент в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Способен управлять током стока до 57 А и выдерживает напряжение сток-исток до 60 В, обеспечивая мощность до 92 Вт. Этот N-MOSFET идеален для широкого спектра применений, требующих надежного и эффективного управления электронными схемами. С IRFZ44VZSPBF ваши проекты получат надежный компонент с продолжительным сроком службы. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 57 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 92 |
Корпус | D2PAK |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 57 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 12@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 92000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tube |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 43 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 43@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1690@25V |
Id - непрерывный ток утечки | 57 A |
Pd - рассеивание мощности | 92 W |
Qg - заряд затвора | 43 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.6 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 62 ns |
Время спада | 38 ns |
Высота | 4.4 mm |
Длина | 10 mm |
Другие названия товара № | SP001557886 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 35 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.25 mm |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов