IRFZ44VZS

Фото 1/2 IRFZ44VZS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
930 руб.
от 2 шт.800 руб.
от 5 шт.721 руб.
от 10 шт.677.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 930 руб.
Номенклатурный номер: 8002020085

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRFZ44VZSPBF от производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный компонент в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Способен управлять током стока до 57 А и выдерживает напряжение сток-исток до 60 В, обеспечивая мощность до 92 Вт. Этот N-MOSFET идеален для широкого спектра применений, требующих надежного и эффективного управления электронными схемами. С IRFZ44VZSPBF ваши проекты получат надежный компонент с продолжительным сроком службы. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 57
Напряжение сток-исток, В 60
Мощность, Вт 92
Корпус D2PAK

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
Maximum Continuous Drain Current - (A) 57
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 12@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 60
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Power Dissipation - (mW) 92000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tube
Pin Count 3
Standard Package Name TO-263
Supplier Package D2PAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 43
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 43@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 1690@25V
Id - непрерывный ток утечки 57 A
Pd - рассеивание мощности 92 W
Qg - заряд затвора 43 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 62 ns
Время спада 38 ns
Высота 4.4 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № SP001557886
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 35 ns
Типичное время задержки при включении 14 ns
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.25 mm
Вес, г 4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 381 КБ
Datasheet
pdf, 373 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов