STB34NM60ND
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
3 620 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 620 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 29A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2785pF @ 50V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 14.5A, 10V |
| Series | FDmeshв(ў II |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
...34NM60ND
pdf, 1157 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
