BFP540FESDH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
91.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Электроэлемент
RF TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 30GHZ, TSFP; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:4.5V; Transition Frequency ft:30GHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:80mA; DC Current Gain hFE:50hFE; RF
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BFP 540FESD H6327 SP000745300 |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Подкатегория | Transistors |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BFP540 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TSFP-4 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 10 V |
| Maximum DC Collector Current | 80 mA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-343 |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 431 КБ
Datasheet BFP540FESDH6327XTSA1
pdf, 532 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
