BSC093N04LSGATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 руб.
от 2 шт. —
310 руб.
от 10 шт. —
259 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 49A, 40V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V;
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Fall Time | 2.8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 34 S |
| Height | 1.27 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 49 A |
| Length | 5.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSC093N04LS BSC093N04LSGXT G SP000387929 |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 24 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.8 mOhms |
| Rise Time | 2.4 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSC093N04 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Width | 5.15 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0078Ом |
| Power Dissipation | 35Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 49А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 35Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0078Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PG-TDSON |
| Maximum Continuous Drain Current | 49 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 13.7 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TDSON |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.6 nC @ 4.5 V |
| Вес, г | 0.363 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
