BSC340N08NS3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
230 руб.
от 8 шт. —
205 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 580 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSC340N08NS3GATMA1 от производителя INFINEON – высококачественный компонент для эффективного использования в современной электронике. Монтаж данного элемента осуществляется поверхностным способом (SMD), что облегчает интеграцию на печатные платы. С током стока в 23 А и напряжением сток-исток 80 В, этот N-MOSFET транзистор способен управлять мощными нагрузками, при этом его мощность достигает 32 Вт. Особо стоит отметить низкое сопротивление в открытом состоянии, составляющее всего 0,034 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности и экономичности. Устройство имеет удобный для монтажа корпус PG-TDSON-8. Универсальность BSC340N08NS3GATMA1 делает его идеальным выбором для широкого спектра применений в электронном оборудовании. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 23 |
| Напряжение сток-исток, В | 80 |
| Мощность, Вт | 32 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.034 |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Fall Time | 2 ns |
| Forward Transconductance - Min | 16 S |
| Height | 1.27 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 23 A |
| Length | 5.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSC340N08NS3 BSC340N08NS3GXT G SP000447534 |
| Pd - Power Dissipation | 32 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 6.8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 34 mOhms |
| Rise Time | 3 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSC340N08 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.8 V |
| Width | 5.15 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 2 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 23 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | SP000447534 BSC34N8NS3GXT BSC340N08NS3GATMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 32 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.1 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27.5 mOhms |
| Rise Time: | 3 ns |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | OptiMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
