BSS84PH6327XTSA2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
52 руб.
от 10 шт. —
34 руб.
от 100 шт. —
18.53 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSS84PH6327XTSA2 от производителя INFINEON — это высококачественный компонент для монтажа в SMD-технологии. Обладает максимальным током стока 0,17 А и напряжением сток-исток 60 В, что обеспечивает стабильную работу в электронных схемах. Мощность транзистора составляет 0,36 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 8 Ом, что гарантирует высокую эффективность при минимальных потерях. Тип N-MOSFET этого транзистора подходит для широкого спектра применений. Компактный корпус SOT23 позволяет использовать его в различных устройствах с ограниченным пространством. Приобретая BSS84PH6327XTSA2, вы получаете надежный компонент для вашего проекта. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.17 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 0.36 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 8 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 18000 |
| Fall Time | 20.5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 65 mS |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -170 mA |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSS84P BSS84PH6327XT H6327 SP000929186 |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.8 Ohms |
| Rise Time | 16.2 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSS84 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 8.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2 V |
| Width | 1.3 mm |
| Channel Type | P |
| Forward Diode Voltage | 1.24V |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 12 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 360 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
