Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IPP100N08N3GXKSA1

IPP100N08N3GXKSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

480 руб.

от 2 шт. — 370 руб.

от 5 шт. — 295 руб.

от 8 шт. — 273.42 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 480 руб.

Номенклатурный номер: 8002024769

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N-CH, 80V, 70A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; P

Технические параметры

Automotive	Yes
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current - (A)	70
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	10@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	80
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Power Dissipation - (mW)	100000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~175
Packaging	Tube
Pin Count	3
Process Technology	OptiMOS
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	26
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	26@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	1810@40V
Base Product Number	IPP100 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2410pF @ 40V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 46A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	OptiMOSв„ў ->
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 46ВµA
Id - непрерывный ток утечки:	70 A
Pd - рассеивание мощности:	100 W
Qg - заряд затвора:	35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:	8.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:	80 V
Vgs - напряжение затвор-исток:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	2 V
Вид монтажа:	Through Hole
Время нарастания:	46 ns
Время спада:	5 ns
Высота:	15.65 mm
Длина:	10 mm
Другие названия товара №:	IPP100N08N3 G SP000680856
Канальный режим:	Enhancement
Категория продукта:	МОП-транзистор
Количество каналов:	1 Channel
Коммерческое обозначение:	OptiMOS
Конфигурация:	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:	30 S
Максимальная рабочая температура:	+ 175 C
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Подкатегория:	MOSFETs
Полярность транзистора:	N-Channel
Производитель:	Infineon
Размер фабричной упаковки:	500
Серия:	OptiMOS 3
Технология:	Si
Тип продукта:	MOSFET
Тип транзистора:	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:	22 ns
Типичное время задержки при включении:	14 ns
Торговая марка:	Infineon Technologies
Упаковка / блок:	TO-220-3
Упаковка:	Tube
Ширина:	4.4 mm
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	70 A
Maximum Drain Source Resistance	18.2 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	80 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	100 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-220
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	26 nC @ 10 V
Width	4.57mm
Вес, г	2.8