IRF730
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
126 руб.
от 50 шт. —
105.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 420 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 3,5А, 74Вт, TO220AB
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.5A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 74 W |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 14 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.9 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Base Product Number | IRF730 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.9 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1000 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Вес, г | 2.707 |
Техническая документация
Datasheet IRF730PBF
pdf, 270 КБ
Datasheet IRF730PBF
pdf, 271 КБ
IRF730
pdf, 91 КБ
IRF730 datasheet
pdf, 178 КБ
IRF7301
pdf, 115 КБ
Документация
pdf, 269 КБ
Datasheet IRF730
pdf, 152 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
