IRF730

Фото 1/6 IRF730
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.150 руб.
от 10 шт.124 руб.
от 50 шт.104.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 420 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002025187

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 3,5А, 74Вт, TO220AB

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 5.5A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
Manufacturer Vishay Siliconix
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 74W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 3.3A, 10V
Series -
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки 5.5 A
Pd - рассеивание мощности 74 W
Qg - заряд затвора 38 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 400 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 15 ns
Время спада 14 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 2.9 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия IRF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 38 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number IRF730 ->
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Other Related Documents http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package Tube
RoHS Status ROHS3 Compliant
Крутизна характеристики S,А/В 2.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1000
Температура, С -55…+150
Вес, г 2.707

Техническая документация

Datasheet IRF730PBF
pdf, 270 КБ
Datasheet IRF730PBF
pdf, 271 КБ
IRF730
pdf, 91 КБ
IRF730 datasheet
pdf, 178 КБ
IRF7301
pdf, 115 КБ
Документация
pdf, 269 КБ
Datasheet IRF730
pdf, 152 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов