IRF740
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
112 руб.
от 50 шт. —
92.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 24 ns |
| Height | 9.01 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Length | 10.41 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | SIHF740-E3 |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 63 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
| Rise Time | 27 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 4.7 mm |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 125 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7мм |
| Высота | 9.01мм |
| Размеры | 10.41 x 4.7 x 9.01мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.41мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 14 ns |
| Производитель | Vishay |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 550 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 400 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1400 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 550 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Время | задержки включения/выключения-14/50 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Заряд затвора, нКл | 63 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 400 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 10 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 550 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-125 Вт |
| Назначение | управление силовыми цепями |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В |
| Описание | 400V, 10A N-Channel MOSFET |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Ток утечки | непрерывный(Id)-10 А |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF740PBF
pdf, 125 КБ
IRF740 datasheet
pdf, 176 КБ
IRF740PBF Datasheet
pdf, 924 КБ
Документация
pdf, 127 КБ
Документация
pdf, 269 КБ
Datasheet IRF740
pdf, 152 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
