IRF7406
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
179 руб.
от 100 шт. —
157.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -30V, -5.8A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 5.8 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 45@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1(Min) |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | SOIC |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 59(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 59(Max)@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1100@25V |
Typical Output Capacitance - (pF) | 490 |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Документация
pdf, 243 КБ
Datasheet IRF7406
pdf, 235 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов