IRF7811AV
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 руб.
от 2 шт. —
500 руб.
от 5 шт. —
424 руб.
от 10 шт. —
392.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Электроэлемент
Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 14А, 3,5Вт, SO8
Технические параметры
Category | Discrete Semiconductor Products |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.8A(Ta) |
Design Resources | IRF7811AVTRPBF Saber ModelIRF7811AVTRPBF Spice Model |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Family | FETs-Single |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1801pF @ 10V |
Mounting Type | Surface Mount |
Online Catalog | N-Channel Logic Level Gate FETs |
Other Names | *IRF7811AVTRPBFIRF7811AVPBFCT |
Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
Packaging | Cut Tape(CT) |
PCN Assembly/Origin | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 |
Power - Max | 2.5W |
Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 15A, 4.5V |
Series | HEXFET® |
Standard Package | 1 |
Supplier Device Package | 8-SO |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF7811AVPBF Datasheet
pdf, 111 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов