IRFP448

Фото 1/3 IRFP448
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 910 руб.
от 2 шт.1 760 руб.
от 5 шт.1 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 910 руб.
Номенклатурный номер: 8002025926

Описание

Электроэлемент
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 500V; RDS(ON) 0.6Ohm; ID 11A; TO-247AC; PD 180W; VGS +/-20V

Технические параметры

Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 11 A
Maximum Drain Source Resistance 600 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 500 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 180 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247AC
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 84 nC @ 10 V
Width 5.31mm
Вес, г 7

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1634 КБ
Datasheet
pdf, 1594 КБ
Документация
pdf, 1660 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов