IRFPS43N50K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 140 руб.
от 2 шт. —
1 980 руб.
от 5 шт. —
1 870 руб.
от 10 шт. —
1 797.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 140 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, 500V, 43A, SUPER 247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:540W; Transistor Case Style:TO-274AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; Current Id Max:47A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.28°C/W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:190A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 47A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8310pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-274AA |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 540W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 28A, 10V |
Supplier Device Package | SUPER-247в(ў(TO-274AA) |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
IRFPS43N50K Datasheet
pdf, 130 КБ
Datasheet IRFPS43N50K, SiHFPS43N50K
pdf, 172 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов