IRFR224
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
от 2 шт. —
320 руб.
от 5 шт. —
248 руб.
от 10 шт. —
221.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 2,4А, 42Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.8A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 2.3A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.38 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IRFR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Base Product Number | IRFR224 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tube |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.8 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1100 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 14(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 14(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 260 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 13 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.1 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
| Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 342 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 823 КБ
Datasheet IRFR224PBF
pdf, 375 КБ
Документация
pdf, 339 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
