IRFR420

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

200 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 170 руб.

от 10 шт. — 153 руб.

от 100 шт. — 138.75 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 400 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002025973

Электроэлемент

Описание Транзистор N-МОП, полевой, аль. 500В 2,4A 42Вт TO252AA Характеристики

Brand	Vishay Semiconductors
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2000
Fall Time	16 ns
Forward Transconductance - Min	1.5 S
Height	2.39 mm
Id - Continuous Drain Current	2.4 A
Length	6.73 mm
Manufacturer	Vishay
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252AA-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	2.5 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	19 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	3 Ohms
Rise Time	8.6 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	33 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Unit Weight	0.050717 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V to 4 V
Width	6.22 mm
Крутизна характеристики S,А/В	1.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	3000
Температура, С	-55…+150
Вес, г	0.4038