IRFR9024N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
85 руб.
от 10 шт. —
66 руб.
от 100 шт. —
47.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -55V, -11A, TO-252AA, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-11A, Drain Source Voltage Vds:-55V, On Resistance Rds(on):0.175ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-4V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Корпус | TO-252-3 | |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Заряд | затвора(Qg)-19 нКл | |
Максимально допустимое напряжение | сток-исток(Vds max)-55 В; затвор-исток(Vgs)±20 В | |
Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-11 A | |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-38 Вт | |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В | |
Описание | 55V, 11A P-Channel MOSFET | |
Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-175 мОм | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 1 P-канал | |
Упаковка | REEL, 2000 шт. | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IRFU9024NPBF
pdf, 1390 КБ
IRFr9024n datasheet
pdf, 117 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов