IRFR9110

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

290 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 230 руб.

от 10 шт. — 200 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 580 руб.

Номенклатурный номер: 8002025997

Электроэлемент

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -2А, 25Вт, DPAK Характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	3.1A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging	Tape & Reel(TR)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	2.5W(Ta), 25W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	D-Pak
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Case	DPAK, TO252
Drain current	-2A
Drain-source voltage	-100V
Gate charge	8.7nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Mounting	SMD
On-state resistance	1.2Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	25W
Type of transistor	P-MOSFET
Вес, г	0.58