IRFS11N50A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
от 2 шт. —
450 руб.
от 5 шт. —
380 руб.
от 8 шт. —
356.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7А, 170Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6.6A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRFS |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS | 8542.39.00.01 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 520@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 52(Max)@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 52(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1423@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 170000 |
| Typical Fall Time (ns) | 28 |
| Typical Rise Time (ns) | 35 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Automotive | No |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 4.83(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Package Width | 9.65(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Datasheet IRFS11N50APBF
pdf, 341 КБ
Datasheet IRFS11N50APBF
pdf, 352 КБ
Datasheet IRFS11N50APBF
pdf, 346 КБ
Документация
pdf, 343 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
