BSS214NWH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
61 руб.
от 10 шт. —
44 руб.
от 100 шт. —
27.72 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Полевой транзистор N-MOSFET BSS214NWH6327XTSA1 от INFINEON представляет собой высококачественный компонент для современной электроники. Оснащенный корпусом SOT323 для SMD монтажа, этот транзистор обладает током стока 1,5 А, напряжением сток-исток 20 В и мощностью 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,25 Ом, что обеспечивает его высокую эффективность и надежность в работе. Транзистор BSS214NWH6327XTSA1 идеально подходит для широкого круга областей применения, от силовой электроники до высокочастотных устройств. Его уникальный код BSS214NWH6327XTSA1, без пробелов и специальных символов, гарантирует легкость идентификации и заказа для производителей и разработчиков. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 1.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.25 |
| Корпус | SOT323 |
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Base Product Number | BSS214 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.8 nC @ 5 V |
| Width | 1.25mm |
| Вес, г | 0.033 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
