SMBT2907AE6327HTSA1

SMBT2907AE6327HTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.54 руб.
от 10 шт.37 руб.
от 100 шт.20.92 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 220 руб.
Номенклатурный номер: 8002026607

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:330mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Cas

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 600 mA
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 45000
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Reel
Part # Aliases 2907A E6327 SMBT SMBT2907AE6327XT SP000011181
Pd - Power Dissipation 330 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series SMBT2907
Transistor Polarity PNP
Unit Weight 0.050717 oz
Pd - рассеивание мощности 330 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № SMBT 2907A E6327 SP000011181
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 600 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SMBT2907
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-23-3
Base Product Number MBT2907A ->
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Power - Max 330mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Вес, г 0.008

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов