SMBT2907AE6327HTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
54 руб.
от 10 шт. —
37 руб.
от 100 шт. —
20.92 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:330mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Cas
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 600 mA |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 45000 |
Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | 2907A E6327 SMBT SMBT2907AE6327XT SP000011181 |
Pd - Power Dissipation | 330 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | SMBT2907 |
Transistor Polarity | PNP |
Unit Weight | 0.050717 oz |
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | SMBT 2907A E6327 SP000011181 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 600 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SMBT2907 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Base Product Number | MBT2907A -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 200MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Power - Max | 330mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet SMBT2907AE6327HTSA1
pdf, 533 КБ
Datasheet SMBT2907AE6327HTSA1
pdf, 536 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов