IRL3713S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 руб.
от 2 шт. —
850 руб.
от 5 шт. —
762 руб.
от 10 шт. —
722.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 970 руб.
Описание
Электроэлемент
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 30V, 0.003OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 260A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5890pF @ 15V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 330W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 38A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRL3713PBF Datasheet
pdf, 721 КБ
Документация
pdf, 278 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов