IPP60R099CPXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 790 руб.
от 2 шт. —
1 650 руб.
от 5 шт. —
1 540 руб.
от 10 шт. —
1 473.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 790 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 31A, TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:31A, Drain Source Voltage Vds:650V, On Resistance Rds(on):0.09ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, No. of Pins:3, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Base Product Number | IPP60R099 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 18A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | CoolMOSв„ў -> |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Вес, г | 3.2 |
Техническая документация
Datasheet IPP60R099CPXKSA1
pdf, 571 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
