BSS315PH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
62 руб.
от 10 шт. —
45 руб.
от 100 шт. —
28.23 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSS315PH6327XTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Этот транзистор способен управлять током стока до 1,5 А и имеет максимальное напряжение сток-исток 30 В, что делает его подходящим для широкого спектра электронных применений. С номинальной мощностью 0,5 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,15 Ом, BSS315PH6327XTSA1 обеспечивает эффективное и надежное управление током. Компактный корпус PG-SOT23 позволяет использовать данное устройство в ограниченных пространствах без ущерба для производительности. Для заказа используйте код BSS315PH6327XTSA1 без специальных символов и пробелов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 1.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.15 |
| Корпус | PG-SOT23 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 9000 |
| Fall Time | 7.5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 2.7 S |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -1.5 A |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSS315P BSS315PH6327XT H6327 SP000928946 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | -2.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 113 mOhms |
| Rise Time | 6.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSS315 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 14.3 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2 V |
| Width | 1.3 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 7.5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 2.7 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | BSS315P H6327 SP000928946 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.3 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 113 mOhms |
| Rise Time: | 6.5 ns |
| Series: | BSS315 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.3 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4.536 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 227 КБ
Datasheet BSS315PH6327XTSA1
pdf, 226 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
