AOB290L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 500 руб.
от 2 шт. —
1 380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 500 руб.
Номенклатурный номер: 8002027341
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AOB290L от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR сочетает в себе высокие характеристики и надежность. Этот N-MOSFET компонент рассчитан на ток стока в 110 А и напряжение сток-исток до 100 В, что позволяет использовать его в мощных схемах. Мощность устройства составляет 250 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0032 Ом гарантирует эффективность и экономию энергии. Монтаж SMD и корпус D2PAK обеспечивают простоту интеграции в различные печатные платы. Код товара AOB290L подтверждает его уникальность и облегчает поиск в каталоге. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 110 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 250 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0032 |
| Корпус | D2PAK |
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 140 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3.2@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 500000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 90 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 90@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 7180@50V |
| Case | TO263 |
| Drain current | 110A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 126nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 3.2mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 250W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
Документация
pdf, 396 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
