BSD223PH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
67 руб.
от 10 шт. —
50 руб.
от 100 шт. —
32.89 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSD223PH6327XTSA1 от ведущего производителя INFINEON – это высокоэффективный компонент для современной электроники. С монтажом типа SMD, он характеризуется током стока в 0,39 А и напряжением сток-исток до 20 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 0,25 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 1,2 Ом, что гарантирует его эффективную работу. Модель N-MOSFET упакована в компактный корпус PG-SOT-363, идеально подходит для поверхностного монтажа. Используйте BSD223PH6327XTSA1 для повышения производительности вашей электронной аппаратуры. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.39 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.25 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 1.2 |
| Корпус | PG-SOT-363 |
Технические параметры
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.39 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 6 |
| Pin Count | 6 |
| PPAP | Unknown |
| Process Technology | OptiMOS-P |
| Product Category | Small Signal |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-363 |
| Typical Fall Time (ns) | 3.2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.5 4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 45 15V |
| Typical Rise Time (ns) | 5 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 5.1 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.8 |
| Maximum Continuous Drain Current | 390 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-363 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3.2 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 350 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 390 mA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | BSD223P H6327 SP000924074 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 500 pC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | BSD223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5.1 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 284 КБ
Datasheet BSD223PH6327XTSA1
pdf, 276 КБ
Datasheet BSD223PH6327XTSA1
pdf, 284 КБ
Документация
pdf, 320 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
