Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › AUIRFB8405

AUIRFB8405

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

460 руб.

от 2 шт. — 380 руб.

от 10 шт. — 323 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.

Номенклатурный номер: 8002032714

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой AUIRFB8405 от производителя INFINEON, представляет собой высокопроизводительный компонент типа N-MOSFET с монтажом THT. Обладает током стока до 120 А и напряжением сток-исток 40 В, что обеспечивает его широкую область применения. Мощность составляет 163 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,0021 Ом, указывая на его высокую эффективность. Корпус TO220AB обеспечивает надежность и долговечность использования. Транзистор AUIRFB8405 идеально подходит для мощных и энергоэффективных решений в электронике. Код продукта AUIRFB8405 позволяет легко найти и заказать данный транзистор для реализации ваших проектов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	120
Напряжение сток-исток, В	40
Мощность, Вт	163
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.0021
Корпус	TO220AB

Технические параметры

Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	500
Fall Time	77 ns
Forward Transconductance - Min	100 S
Height	15.65 mm
Id - Continuous Drain Current	120 A
Length	10 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	163 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	107 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	2.5 mOhms
Rise Time	128 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Tradename	CoolIRFet
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	55 ns
Typical Turn-On Delay Time	14 ns
Unit Weight	0.211644 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.2 V to 3.9 V
Width	4.4 mm
Id - непрерывный ток утечки	120 A
Pd - рассеивание мощности	163 W
Qg - заряд затвора	107 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.9 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	128 ns
Время спада	77 ns
Высота	15.65 mm
Длина	10 mm
Другие названия товара №	SP001516720
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	CoolIRFet
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	100 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.4 mm
Base Product Number	AUIRFB8405 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	161nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5193pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Power Dissipation (Max)	163W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 100A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	HEXFETВ® ->
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 100ВµA
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	185 A
Package Type	TO-220
Вес, г	3.21