MMBT589LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1 А, 0.31 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 руб.

Мин. кол-во для заказа 54 шт.

от 143 шт. — 7 руб.

от 286 шт. — 6.20 руб.

от 571 шт. — 5.70 руб.

Добавить в корзину 54 шт. на сумму 486 руб.

Номенклатурный номер: 8002067535

Артикул: MMBT589LT1G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1 А, 0.31 Вт

Корпус	SOT-23-3(TO-236)
Pd - рассеивание мощности	310 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MMBT589L
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Вес, г	0.05