IPA80R650CEXKSA2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
810 руб.
от 2 шт. —
680 руб.
от 5 шт. —
604 руб.
от 10 шт. —
563.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 810 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 800V, 8A, TO-220FP, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:8A, Drain Source Voltage Vds:800V, On Resistance Rds(on):0.56ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Height | 16.15 mm |
| Length | 10.65 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IPA80R650CE SP001313394 |
| Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS CE |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Width | 4.85 mm |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 16.15 mm |
| Длина | 10.65 mm |
| Другие названия товара № | IPA80R650CE SP001313394 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | CoolMOS CE |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Ширина | 4.85 mm |
| Base Product Number | IPA80R650 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5.1A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220-3F |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470ВµA |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Package Type | PG-TO 220 |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1191 КБ
Datasheet IPA80R650CEXKSA2
pdf, 1067 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
