IXFB62N80Q3, Trans MOSFET N-CH 800V 62A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт., срок 6-8 недель
5 030 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
4 930 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 35 210 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 800V 62A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 62 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 140@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 6.5 |
| Maximum IDSS (uA) | 50 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1560000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | HiperFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PLUS 264 |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 11 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 270 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 270@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 13600@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 62 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 667 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
