STGWT40H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
505 шт., срок 6-8 недель
320 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 32 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Сквозное отверстие TO-3P
Технические параметры
| Base Product Number | STGWT40 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 210nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power - Max | 283W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 498mJ (on), 363mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 40ns/142ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
