Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGWT60H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A ...

STGWT60H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

270 шт., срок 6-8 недель

400 руб.

Мин. кол-во для заказа 80 шт.

Добавить в корзину 80 шт. на сумму 32 000 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8002185638

Артикул: STGWT60H65FB

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	375 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	60 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	300
Серия	STGWT60H65FB
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	250 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3P
Base Product Number	STGWT60 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
Current - Collector Pulsed (Icm)	240A
ECCN	EAR99
Gate Charge	306nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max	375W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-3P
Switching Energy	1.09mJ (on), 626ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	51ns/160ns
Test Condition	400V, 60A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Вес, г	1