AUIRFZ24NS, Транзистор полевой N-канальный 55В 17A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 13 шт. —
180 руб.
от 26 шт. —
166 руб.
от 50 шт. —
158 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 660 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 55В 17A
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Automotive | Yes | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant with Exemption | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Material | Si | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 17 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 70 10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3800 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 2 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | Unknown | |
| Process Technology | HEXFET | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO-263 | |
| Supplier Package | D2PAK | |
| Supplier Temperature Grade | Automotive | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 27 | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20(Max) | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 370 25V | |
| Typical Rise Time (ns) | 34 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.9 | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 25V | |
| Manufacturer | Infineon Technologies | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 | |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W(Ta), 45W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 10A, 10V | |
| Series | HEXFETВ® | |
| Supplier Device Package | D-PAK(TO-252AA) | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 2.2 |
Техническая документация
Datasheet AUIRFZ24NS
pdf, 637 КБ
Datasheet AUIRFZ24NSTRL
pdf, 642 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
