2N7002-G, MOSFET BVDD=60V ID=200mA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

от 10 шт. — 77 руб.

от 100 шт. — 46 руб.

от 1000 шт. — 19.41 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

Номенклатурный номер: 8005254455

Артикул: 2N7002-G

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Brand:	Comchip Technology
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	20 ns
Forward Transconductance - Min:	300 mS
Id - Continuous Drain Current:	115 mA
Manufacturer:	Comchip Technology
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	360 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance:	7.5 Ohms
Rise Time:	20 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Вес, г	8

pdf, 109 КБ

Мы рекомендуем