MMBF5486, Trans RF FET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 340 шт.
Добавить в корзину 340 шт.
на сумму 31 620 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\RF MOSFETs
Trans RF FET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | -25 |
Maximum IDSS (uA) | 20000 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 225 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Type | JFET |
Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 2(Max)@15V |
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 1(Max)@15V |
Forward Transconductance (Typ) | 0.008(MAX)(S) |
Input Capacitance (Typ)@Vds | 5(MAX)@15V(pF) |
Noise Figure (Max) | 4(dB) |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Output Capacitance (Typ)@Vds | 2(MAX)@15V(pF) |
Package Type | SOT-23 |
Power Dissipation (Max) | 225(mW) |
Rad Hardened | No |
Reverse Capacitance (Typ) | 1(MAX)@15V(pF) |
Screening Level | Military |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 324 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов