FGH60N60UFDTU, Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 320 руб.
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 30 шт. —
1 160 руб.
Добавить в корзину 24 шт.
на сумму 31 680 руб.
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Tube - Rail/Tube (Alt: FGH60N60UFDTU)
Технические параметры
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 120(A) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature (Max) | 150C |
Operating Temperature (Min) | -55C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TO-247 |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Rad Hardened | No |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 120 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 60 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-247AB-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 298 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | FGH60N60UFD |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 981 КБ
Документация
pdf, 455 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов