Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FDB0300N1007L, Trans MOSFET N-CH 100V 200A ...

FDB0300N1007L, Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

790 руб.

Мин. кол-во для заказа 40 шт.

Добавить в корзину 40 шт. на сумму 31 600 руб.

Номенклатурный номер: 8002309837

Артикул: FDB0300N1007L

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полевые МОП-транзисторы PowerTrench®

onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.

Технические параметры

Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	800
Fall Time:	18 ns
Forward Transconductance - Min:	85 S
Id - Continuous Drain Current:	200 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-263-7
Pd - Power Dissipation:	3.8 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	81 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	11 mOhms
Rise Time:	29 ns
Series:	FDB0300N1007L
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	52 ns
Typical Turn-On Delay Time:	28 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	1