R6007END3TL1, Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт., срок 6-8 недель
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 210 шт.
Добавить в корзину 210 шт.
на сумму 33 600 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply. Low on-resistance. Fast switching speed.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.57Ом |
Power Dissipation | 78Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 78Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.57Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Forward Diode Voltage | 1.5V |
Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
Maximum Drain Source Resistance | 620 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 78 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | R6007END3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Width | 6.4mm |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.