NXH80B120H2Q0SG, Trans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103W 20-Pin Case 180AJ Tray

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14 320 руб.

Кратность заказа 24 шт.

Добавить в корзину 24 шт. на сумму 343 680 руб.

Номенклатурный номер: 8002415795

Артикул: NXH80B120H2Q0SG

Collector Emitter Saturation Voltage	2.2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	40А
DC Ток Коллектора	40А
Power Dissipation	103Вт
Выводы БТИЗ	Solder
Количество Выводов	22вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ	PIM Half Bridge Inverter
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Максимальная Температура Перехода Tj	150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2.2В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	103Вт
Стиль Корпуса Транзистора	PIM
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	1

pdf, 262 КБ

Мы рекомендуем