AO3404A, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 4,9А, 1,4Вт, SOT23

AO3404A, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 4,9А, 1,4Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 руб.
от 5 шт.75 руб.
от 25 шт.29 руб.
от 100 шт.23.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Номенклатурный номер: 8002514548
Артикул: AO3404A
Бренд: Alpha & Omega

Описание

Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 4,9А, 1,4Вт, SOT23

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 5.8
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 25@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 7.1@10V|3.3@4.5V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 7.1
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 373@15V
Maximum Power Dissipation (mW) 1400
Typical Fall Time (ns) 2.5
Typical Rise Time (ns) 2.4
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 14.8
Typical Turn-On Delay Time (ns) 4.5
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive Unknown
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT-23
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1
Package Length 2.9
Package Width 1.6
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current - (A) 5.8
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 25@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 30
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Power Dissipation - (mW) 1400
Operating Temperature - (??C) -55~150
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 7.1
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 7.1@10VI3.3@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 373@15V
Вес, г 0.027

Техническая документация

Datasheet AO3404A
pdf, 281 КБ
Datasheet AO3404A
pdf, 280 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов