BSS123W-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,17А, 200мВт, SOT323

Фото 1/2 BSS123W-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,17А, 200мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
41 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 205 руб.
Номенклатурный номер: 8020014511
Артикул: BSS123W-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,17А, 200мВт, SOT323 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Lead Shape Gull-wing
Package Height 0.95
Package Width 1.3
Package Length 2.15
Mounting Surface Mount
PCB changed 3
Product Category Small Signal
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.17
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 6000@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 29@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Typical Fall Time (ns) 16(Max)
Typical Rise Time (ns) 8(Max)
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 13(Max)
Typical Turn-On Delay Time (ns) 8(Max)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Supplier Temperature Grade Automotive
Automotive No
Supplier Package SOT-323
Standard Package Name SOT
Pin Count 3
Military No
Base Product Number BSS123 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-323
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 170mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 200mW
Rds On - Drain-Source Resistance 6О© @ 170mA,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100V
Vgs - Gate-Source Voltage 2V @ 1mA
Maximum Continuous Drain Current 170 mA
Maximum Drain Source Resistance 10 Ω
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Package Type SOT-323
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Width 1.35mm
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet BSS123W-7-F
pdf, 433 КБ
Datasheet BSS123W-7-F
pdf, 372 КБ
Datasheet BSS123W-7-F
pdf, 224 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов