IXFA130N10T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 130А, 360Вт, TO263

Фото 1/3 IXFA130N10T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 130А, 360Вт, TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 030 руб.
от 3 шт.910 руб.
от 10 шт.745 руб.
от 50 шт.652.94 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 030 руб.
Номенклатурный номер: 8002516698
Артикул: IXFA130N10T2
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 130А, 360Вт, TO263 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 130 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия IXFA130N10
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 1.54

Техническая документация

Datasheet IXFA130N10T2
pdf, 194 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов