IXFA130N10T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 130А, 360Вт, TO263

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 110 руб.

от 3 шт. — 880 руб.

от 10 шт. — 764 руб.

от 50 шт. — 672.93 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 110 руб.

Номенклатурный номер: 8002516698

Артикул: IXFA130N10T2

Бренд / Производитель: Ixys Corporation

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор Trench T2 HiperFET Power МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	130 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	9.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXFA130N10
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-263-3
Вес, г	2.5

pdf, 194 КБ

Мы рекомендуем