ZXMN6A07ZTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 2,1А, 1,5Вт, SOT89

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

330 руб.

от 5 шт. — 140 руб.

от 25 шт. — 109 руб.

от 100 шт. — 83.37 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 330 руб.

Номенклатурный номер: 8002518171

Артикул: ZXMN6A07ZTA

Бренд: DIODES INC.

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 2,1А, 1,5Вт, SOT89 Характеристики

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.25Ом
Power Dissipation	1.5Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	1.9А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	1.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.25Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-89
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	2.5 A
Maximum Drain Source Resistance	250 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3V
Maximum Power Dissipation	2.6 W
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-89
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	1.65 nC @ 5 V, 3.2 nC @ 10 V
Width	2.6mm
Вес, г	0.11