Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › BC857ALT1G, Транзистор PNP, биполярный, 45В ...

BC857ALT1G, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 100мА, 200мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14 руб.

Мин. кол-во для заказа 20 шт.

от 100 шт. — 7 руб.

от 500 шт. — 4.60 руб.

от 3000 шт. — 3.54 руб.

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 280 руб.

Альтернативные предложения1

Посмотреть аналоги20

Номенклатурный номер: 8002520288

Артикул: BC857ALT1G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Описание Биполярный транзистор BC857ALT1G от производителя ONSEMI представляет собой компонент PNP типа, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). С этим транзистором вы получаете ток коллектора 0,1 А и напряжение коллектор-эмиттер 45 В, что делает его подходящим для широкого спектра областей применения. Его мощность составляет 0,225 Вт, а компактный корпус SOT23 обеспечивает удобство монтажа на плате. Код товара BC857ALT1G подтверждает его высокие стандарты качества и надежность, благодаря чему он станет отличным выбором для вашего проекта. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP
Монтаж	SMD
Ток коллектора, А	0.1
Напряжение коллектор-эмиттер, В	45
Мощность, Вт	0.225
Корпус	SOT23

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	225 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	125
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC857AL
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Maximum Collector Base Voltage	-50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-45 V
Maximum DC Collector Current	-100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	-5 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	225 mW
Minimum DC Current Gain	125
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	0.02