RFD12N06RLESM9A, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 8А, 49Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
от 5 шт. —
230 руб.
от 25 шт. —
175 руб.
от 100 шт. —
148.27 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 8А, 49Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Pd - рассеивание мощности | 49 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 89 ns, 34 ns |
| Время спада | 37 ns, 50 ns |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Другие названия товара № | RFD12N06RLESM9A_NL |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | RFD12N06RLESM |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns, 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns, 5.3 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 49 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | UltraFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
| Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet RFD12N06RLESM9A
pdf, 864 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
