IXFX20N120P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 20А, 780Вт, PLUS247™

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 870 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 870 руб.

Номенклатурный номер: 8002529281

Артикул: IXFX20N120P

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 20А, 780Вт, PLUS247™ Характеристики

Brand:	IXYS
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Fall Time:	70 ns
Id - Continuous Drain Current:	20 A
Manufacturer:	IXYS
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	780 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	193 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	570 mOhms
Rise Time:	45 ns
Series:	IXFX20N120
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	HiPerFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	72 ns
Typical Turn-On Delay Time:	49 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Вес, г	6.82