LGE2301, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3А, 1Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3690 шт., срок 7 недель
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
13 руб.
от 500 шт. —
9.50 руб.
от 3000 шт. —
7.89 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3А, 1Вт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Drain current | -3A |
| Drain-source voltage | -20V |
| Gate charge | 12nC |
| Gate-source voltage | ±12V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | LUGUANG ELECTRONIC |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.14Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 778 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
