BCW66KHE6327, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,8А, 0,5Вт, SOT23

Фото 1/4 BCW66KHE6327, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,8А, 0,5Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
от 100 шт.15 руб.
от 500 шт.12 руб.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 475 руб.
Номенклатурный номер: 8002542576
Артикул: BCW66KHE6327

Описание

Semiconductors\Transistors\Bipolar transistors\Single bipolar transistors
Описание Транзистор биполярный NPN BCW66KHE6327 от INFINEON, предназначен для монтажа в SMD-выполнении, обеспечивает ток коллектора до 0,8 А и напряжение коллектор-эмиттер до 45 В. При мощности 0,5 Вт и компактном корпусе SOT23, этот транзистор является идеальным выбором для широкого спектра областей применения, где требуется надежный контроль тока. Модель BCW66KHE6327 характеризуется высокой эффективностью и стабильностью работы, что делает его незаменимым компонентом в разработке современной электроники. Продукт BCW66KHE6327 отличается высокой надежностью, что подтверждается качеством производителя INFINEON. Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN
Монтаж SMD
Ток коллектора, А 0.8
Напряжение коллектор-эмиттер, В 45
Мощность, Вт 0.5
Корпус SOT23

Технические параметры

Case SOT23
Collector current 0.8A
Collector-emitter voltage 45V
Frequency 170MHz
Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting SMD
Polarisation bipolar
Power dissipation 0.5W
Type of transistor NPN
Base Part Number BCW66
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 170MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C(TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel(TR)
Part Status Last Time Buy
Power - Max 500mW
Series -
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Brand: Infineon Technologies
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 450 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 800 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 250
DC Current Gain hFE Max: 630
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 170 MHz
Manufacturer: Infineon
Maximum DC Collector Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-23-3
Part # Aliases: BCW 66KH E6327 SP000271906
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.02

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов