BCW66KHE6327, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,8А, 0,5Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
от 100 шт. —
15 руб.
от 500 шт. —
12 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 475 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Bipolar transistors\Single bipolar transistors
Описание Транзистор биполярный NPN BCW66KHE6327 от INFINEON, предназначен для монтажа в SMD-выполнении, обеспечивает ток коллектора до 0,8 А и напряжение коллектор-эмиттер до 45 В. При мощности 0,5 Вт и компактном корпусе SOT23, этот транзистор является идеальным выбором для широкого спектра областей применения, где требуется надежный контроль тока. Модель BCW66KHE6327 характеризуется высокой эффективностью и стабильностью работы, что делает его незаменимым компонентом в разработке современной электроники. Продукт BCW66KHE6327 отличается высокой надежностью, что подтверждается качеством производителя INFINEON. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 0.8 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
Мощность, Вт | 0.5 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
Case | SOT23 |
Collector current | 0.8A |
Collector-emitter voltage | 45V |
Frequency | 170MHz |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | SMD |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 0.5W |
Type of transistor | NPN |
Base Part Number | BCW66 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Frequency - Transition | 170MHz |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Last Time Buy |
Power - Max | 500mW |
Series | - |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Base Voltage VCBO: | 75 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 450 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 800 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 250 |
DC Current Gain hFE Max: | 630 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 170 MHz |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum DC Collector Current: | 800 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Part # Aliases: | BCW 66KH E6327 SP000271906 |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 525 КБ
Datasheet
pdf, 522 КБ
Документация
pdf, 74 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 526 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 10 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов