Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD16N65M5, Транзистор: N-MOSFET, полевой ...

STD16N65M5, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 710В, 12А, 90Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2488 шт., срок 6 недель

830 руб.

от 5 шт. — 720 руб.

от 25 шт. — 551 руб.

от 100 шт. — 478.99 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 830 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8002549644

Артикул: STD16N65M5

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Case	DPAK
Drain current	12A
Drain-source voltage	710V
Gate-source voltage	±25V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting	SMD
On-state resistance	0.279Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	90W
Technology	MDmesh™
Type of transistor	N-MOSFET
кол-во в упаковке	2500
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	12 A
Maximum Drain Source Resistance	279 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	90 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	MDmesh M5
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	31 nC @ 10 V
Width	6.2mm
Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2500
Fall Time	7 ns
Id - Continuous Drain Current	12 A
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	90 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	270 mOhms
Rise Time	9 ns
RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	Power MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns
Typical Turn-On Delay Time	25 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage	25 V
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	7 ns
Id - Continuous Drain Current:	12 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	90 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	31 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	270 mOhms
Rise Time:	9 ns
Series:	Mdmesh M5
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	Power MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	30 ns
Typical Turn-On Delay Time:	25 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	0.33