STU10NM60N, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 5А, 70Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт., срок 7 недель
320 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 5А, 70Вт, IPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 530 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | STU10NM60N |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 557 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
