IRFD9110PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 0.7A [HVMDIP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 15 шт. —
103 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.7 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 Ом/0.42А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
Крутизна характеристики, S | 0.6 | |
Корпус | HVMDIP-4 | |
Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1639 КБ
IRFD9110 Datasheet
pdf, 173 КБ
Datasheet IRFD9110, SiHFD9110
pdf, 1644 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают